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NXP Semiconductors
PESD5V0X1UALD
Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diode
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
I PP
T j
T amb
T stg
peak pulse current
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
t p = 8/20 μ s
[1][2]
-
-
? 55
? 65
2
150
+150
+150
A
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to 2.
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V ESD
electrostatic
IEC 61000-4-2
[1][2]
-
15
kV
discharge voltage
(contact discharge)
machine model
-
400
V
MIL-STD-883
[2]
-
10
kV
(human body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 to 2.
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
PESD5V0X1UALD
Product data sheet
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Rev. 1 — 5 April 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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